Igbt транзисторы

1 (5) Not Applicable (1)

2.16 (1) 3.00 (1) 383.33 (1) 387.00 (1) 7.22 (1) 7.24 (1) 7.28 (1) 8.00 (1) 8.20 (1) 8.30 (1) 8.31 (1) 8.38 (2) 8.40 (3) 8.50 (1) 8.57 (1)

задержки включения/ выключения - 12/ 215 нс (1)

-40…+175 °С (4)

Screw Mount Module 62 mm (2) TO-220 (1) TO-220F (1) TO-247 (5) TO-247-3 (2)

250 (1)

коллектор-эмиттер (VCEO) - 600 V; напряжение затвор-эмиттер - 20 V (1)

650 (1)

320A (1) 370А (1) коллектора (Iк max) - 11,7 А (1)

230 Вт (1) рассеиваемая (Pd) - 1100 Вт (1) рассеиваемая (Pd) - 1950 Вт (1) рассеиваемая (Pd) - 274 Вт (1) рассеиваемая (Pd) - 30 Вт (1) рассеиваемая (Pd) - 326 Вт (1)

1200В (2) насыщения коллектор-эмиттер - 1.5 V (1)

600V, 11.7A, 30W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) (1) IGBT Trench 650 V 79 A 230 W Through Hole PG-TO247-3 (1) IGBT Trench 650 V 80 A 274 W Through Hole PG-TO247-3 (1) IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1 (1)

Through Hole (3)

IGBT (8) IGBT Module (2) IGBT транзистор (1)

затвор-эмиттер - 100 nA (1)

57*31*27/600 (1) 58*48*45/300 (1) 60*40*40/150 (1) 60*40*40/600 (1) 60*40*40/900 (1) 60*50*50/1000 (1) 60*50*50/150 (1) 60*50*50/180 (1) 60*50*50/210 (1) 60*50*50/270 (1) 60*50*50/30 (1) 60*50*50/300 (3) 60*50*50/900 (1) 73*39.7*42/10 (1)

50 (1) TRAY, 10 шт. (1) TUBE, 30 шт. (7) TUBE, 50 шт. (1)