* Цены указаны в рублях включая НДС и действительны по предварительному заказу в соответствии с нормой упаковки

Производитель : Infineon Technologies

Конфигурация :	half-bridge
Тип :	канала: независимый
Количество :	каналов: 2
Тип :	управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания :	10…20 В
Выходной ток :	нарастания пиковый: 0,21 А
Выходной ток :	спада пиковый: 0,36 А
Тип входа :	неинвертирующий
Максимальное напряжение :	смещения: 600 В
Время :	нарастания: 100 нс
Время :	затухания: 50 нс
Рабочая температура :	-40…+150 °С
Корпус :	soic-8(0.154 inch)
Вес :	0,15 г

Логическое напряжение (VIL), В: 0,8
Логическое напряжение (VIH), В: 3

Смотрите справочные данные <== ТУТ (ir2101.pdf)